项目： 国家存储器基地项目（一期）FAB2及配套设施建筑机电设计采购施工工程

地点 ： 湖北武汉

时间 ： 2021年

服务范围 ： 自控FMCS及安防系统、IT数据机房扩容

主要特点 ： 厂区总占地面积1717亩，规划总建筑面积约170万平方米，分三期工程进行建设，总体规划有3座（FAB1、FAB2、FAB3）12英寸3D NAND存储器芯片生产厂房（单座厂房洁净生产面积为6.8万平米，单座产能为10万片/月）。

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